Fullprof是一種用于晶體結(jié)構(gòu)分析和精修的軟件工具，被廣泛應(yīng)用于材料科學(xué)和固體物理領(lǐng)域。它能夠擬合實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)和理論模型，從而確定晶體結(jié)構(gòu)的精確參數(shù)。在晶體分析中，F(xiàn)ullprof的應(yīng)用對(duì)于研究工作具有重要意義。它可以幫助研究人員確定晶體結(jié)構(gòu)的空間群和晶胞參數(shù)，提供準(zhǔn)確的晶胞參數(shù)和晶體結(jié)構(gòu)信息，從而幫助研究人員理解晶體

晶體結(jié)構(gòu)精修主要基于Rietveld方法，該方法通過(guò)在給定的晶體結(jié)構(gòu)模型上，利用最小二乘法對(duì)晶體結(jié)構(gòu)信息和峰形參數(shù)進(jìn)行擬合，使計(jì)算圖譜與實(shí)際衍射圖譜盡可能一致。這種方法能夠充分利用全譜衍射數(shù)據(jù)，有效解析出晶胞參數(shù)、原子位置等關(guān)鍵信息，對(duì)于材料科學(xué)、物理、化學(xué)等領(lǐng)域的研究具有重要意義。

本書涵蓋作者自20世紀(jì)80年代末師從郭可信先生起至近年帶領(lǐng)研究團(tuán)隊(duì)在有關(guān)電子衍射方面所積累的主要實(shí)驗(yàn)案例，旨在以案例的形式梳理電子顯微學(xué)及晶體學(xué)的基礎(chǔ)知識(shí)，展示如何通過(guò)對(duì)材料基礎(chǔ)科學(xué)問(wèn)題的再認(rèn)識(shí)從而對(duì)經(jīng)典問(wèn)題產(chǎn)生新理解，分享發(fā)現(xiàn)的樂(lè)趣，傳授30余載的學(xué)術(shù)經(jīng)驗(yàn)。本書主體（第2～6章）按晶體的對(duì)稱性從低到高依次展開，包括單

《結(jié)晶礦物學(xué)》著重于對(duì)本學(xué)科基本概念、基本理論、基本知識(shí)和基本技能、專業(yè)應(yīng)用的闡述和訓(xùn)練，各章末均有習(xí)題，附錄為配套的實(shí)驗(yàn)指導(dǎo)書。全書共分四篇（十八章）：第一篇幾何結(jié)晶學(xué)基礎(chǔ)；第二篇礦物學(xué)通論；第三篇礦物學(xué)各論；第四篇礦物資源；第五篇礦物的合成與利用。除保留原礦物學(xué)的傳統(tǒng)精華外，還增加了礦物新成果、礦物資源及資源的開發(fā)

本教材以晶體衍射結(jié)構(gòu)表征為主線，介紹了X射線衍射、背散電子衍射和透射電子衍射的共性問(wèn)題。書中運(yùn)用倒易點(diǎn)陣數(shù)學(xué)，詳細(xì)推導(dǎo)了晶體學(xué)結(jié)構(gòu)公式和單晶標(biāo)準(zhǔn)透射電子衍射斑點(diǎn)圖；運(yùn)用純數(shù)學(xué)推導(dǎo)和補(bǔ)充了背散電子衍射檢測(cè)中的核心晶體學(xué)公式，即晶體取向與歐拉空間的關(guān)系式，關(guān)系式包括了立方晶系、四方晶系、正交晶系和六方晶系等，擴(kuò)展了TD方向

本書主要從晶體學(xué)理論入手，闡述晶體生長(zhǎng)理論；借助晶體結(jié)構(gòu)表征和現(xiàn)代分析技術(shù)，深入揭示晶體結(jié)晶過(guò)程中的影響因素，為研究開發(fā)材料、化學(xué)、藥物等新晶型提供理論指導(dǎo)和技術(shù)參考。本書的特色與創(chuàng)新在于：高度結(jié)合社會(huì)需求實(shí)際，用理論聯(lián)系實(shí)踐，促進(jìn)專業(yè)知識(shí)與科研和生產(chǎn)實(shí)踐的交叉融合，既能作為本科生、研究生專業(yè)課程教材，又能成為晶型生產(chǎn)

Fe4N材料屬于新型功能材料,在自旋電子學(xué)、微電子學(xué)等領(lǐng)域具有重要應(yīng)用價(jià)值,本書可以使讀者對(duì)Fe4N材料進(jìn)行詳細(xì)的了解,稿件從引言、反鈣鈦礦結(jié)構(gòu)Fe4N多晶薄膜、反鈣鈦礦結(jié)構(gòu)Fe4N外延薄膜、摻雜對(duì)Fe4N薄膜的影響、反鈣鈦礦結(jié)構(gòu)Fe4N/半導(dǎo)體異質(zhì)結(jié)構(gòu)、反鈣鈦礦結(jié)構(gòu)Fe4N-反鐵磁性異質(zhì)結(jié)構(gòu)、反鈣鈦礦結(jié)構(gòu)Fe4N基多

芯片，是集成電路也是硅片，是微電子技術(shù)的主要產(chǎn)品，計(jì)算機(jī)芯片是一種用硅制成的薄片，硅晶體的結(jié)構(gòu)理論及應(yīng)用，在芯片制造中起著關(guān)鍵的基礎(chǔ)作用，高純度的硅晶體能夠控制電能泄露、減少電能需求，降低芯片發(fā)熱量，芯片的結(jié)晶過(guò)程與技術(shù)的研究是芯片生產(chǎn)制造的重要基礎(chǔ)環(huán)節(jié)。本書系世界學(xué)術(shù)研究前沿叢書之一，采用全英文出版，主要選擇近3年世

本書介紹了基于密度泛函理論（DFT）的第一性原理計(jì)算在材料科學(xué)中的應(yīng)用，結(jié)合非平衡格林函數(shù)（NEGF）方法，特別適用于磁性自旋極化輸運(yùn)中的理論模擬應(yīng)用場(chǎng)景。全書共分為7章，主要內(nèi)容包括緒論、密度泛函理論和第一性原理計(jì)算方法、電極材料穩(wěn)定性研究、磁電阻結(jié)在不同異質(zhì)界面下的能態(tài)特征及其自旋極化輸運(yùn)性質(zhì)、電極材料的能帶結(jié)構(gòu)特

截至目前，時(shí)變結(jié)構(gòu)參數(shù)識(shí)別與損傷診斷已經(jīng)成為國(guó)內(nèi)外研究的熱點(diǎn)。本書對(duì)時(shí)變結(jié)構(gòu)參數(shù)識(shí)別與損傷診斷研究成果進(jìn)行了系統(tǒng)的歸納與總結(jié)，主要內(nèi)容包括緒論、小波分析理論、基于同步擠壓小波變換及其改進(jìn)算法的時(shí)變結(jié)構(gòu)參數(shù)識(shí)別、新型組合人行橋時(shí)變參數(shù)識(shí)別、結(jié)構(gòu)損傷位置及程度識(shí)別、結(jié)構(gòu)時(shí)變損傷診斷、鋼管混凝土構(gòu)件脫空缺陷診斷、基樁樁長(zhǎng)估計(jì)